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碳化硅 均流装置

半导体碳化硅(SIC)MOSFET并联均流的详解； - 知乎专栏

9 小时之前  半导体碳化硅 (SIC)MOSFET并联均流的详解；. 近年来，出现了许多新型宽禁带半导体材料，包括SiC、GaN等。. 这些材料对器件的性能有较大的提升，为进一步提升

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技术｜并联SiC功率器件的新型磁集成并联均流控制方法 ...

2024年3月1日  前言： 本文提出了一种用于并联碳化硅（SiC）功率器件的新型磁集成并联均流控制方法。 分析了并联SiC功率器件的应用问题。 采用耦合电感法来解决该问题。

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一种均流的碳化硅功率模块-CN117423672A - 专利顾如 ...

2023年10月8日  本发明涉及一种均流的碳化硅功率模块，包括：基板、若干第一功率芯片、若干第二功率芯片、若干第一功率端子、若干第二功率端子和若干第三功率端子，基板包

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碳化硅MOSFET并联主动均流的研究 - 百度学术

全球工业化水平逐步提高,传统电力电子器件受限于材料的自身因素,难以满足日益提升的要求.而以碳化硅为代表的宽禁带材料和碳化硅(SiC)MOSFET为代表的宽禁带半导体器件受到

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SiC MOSFET并联模块均流技术研究 - 百度学术

. SiC MOSFET并联模块均流技术研究. 来自 掌桥科研. 喜欢 0. 阅读量： 663. 作者： 惠城武. 摘要： 目前,电力电子设备由于智能化电力系统以及能源互联网的发展而引起了人们大量

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半导体碳化硅(SiC) 关键设备和材料技术进展的详解； - 知乎专栏

2024年2月18日  从SiC衬底、外延、芯片到模块,涉及单晶、切磨抛、外延、离子注入、热处理等关键装备,随着整体市场的蓬勃发展,设备需求迎来了机遇期。. 一、SiC 单晶生长设

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sic 碳化硅mosfet-英飞凌(infineon)官网 - Infineon Technologies

1 天前  碳化硅MOSFET解决方案是实现智慧能源世界的重要一步。. 依托丰富经验和兼容性技术专长，英飞凌推出革命性的CoolSiC™ MOSFET技术,可助力实现全新的产品设计。.

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碳化硅MOSFET并联均流的研究 - 钛学术文献服务平台

2021年6月8日  碳化硅 (SiC)材料是一种新型宽禁带半导体材料.本文对SiC MOSFET这一种新型器件的并联均流情况进行了研究,其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测试,并

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一种碳化硅MOSFET的并联均流结构的制作方法 - X技术网

2019年6月11日  本实例所述碳化硅并联均流结构由n级构成，如图1所示，每一级由碳化硅mosfetq1、q2、、qn及其驱动电路组成；每路驱动电路中，每个驱动电源串联一个

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碳化硅均流装置

碳化硅均流装置 2021-05-29T04:05:57+00:00 一文看懂碳化硅行业 知乎 知乎专栏 碳化硅是功率器件材料端的技术演进 随着终端应用电子架构复杂程度提升， 硅基器件物理极限无法满足部分高压、高温、高频及低功耗的应用要求，具备热导率高、临界击穿场强 8 ...

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载板玻璃溢流砖辅助加热装置及系统制造方法及图纸_技高网

2024年4月8日  本申请提供一种载板玻璃溢流砖辅助加热装置及系统，该装置包括：碳化硅加热组件，碳化硅加热棒安装座，操作支架，接线夹子以及电缆，其中，碳化硅加热组件设置在碳化硅加热棒安装座之上且从碳化硅加热棒安装座的内部穿过，碳化硅加热棒安装座的外周设置有操作支架，碳化硅加热组件的 ...

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碳化硅 均流装置 - MC World

碳化硅栅极驱动器 电力电子行业的 颠覆性技术 Texas 2022年5月10日 碳化硅栅极驱动器：电力电子行业的颠覆性技术 3 February 2019 表 1 图 2 SiC 栅极驱动器的一个独有特性是快速过流保护，而不是 IGBT 栅极驱动器的去饱和。 2021年11月7日 其中，牵引变流器是

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碳化硅 均流装置 - MC World

碳化硅栅极驱动器 电力电子行业的 颠覆性技术 Texas 2022年5月10日 碳化硅栅极驱动器：电力电子行业的颠覆性技术 3 February 2019 表 1 图 2 SiC 栅极驱动器的一个独有特性是快速过流保护，而不是 IGBT 栅极驱动器的去饱和。 2021年11月7日 其中，牵引变流器是

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碳化硅MOSFET并联均流的研究 - 百度文库

碳化硅MOSFET并联均流的研究. 为了对裸片进行测试，这里采用与模块封装相似的方法，一方面利用真空回流焊将芯片的漏极焊在PCB板上。. 另一方面利用超声焊接将芯片的栅极和源极与PCB相连。. 因为本次研究是要对器件的均流问题进行研究，所以需要注意两路 ...

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一种碳化硅MOSFET的并联均流结构的制作方法 - X技术网

2019年6月11日  本发明涉及一种碳化硅开关器件拓扑。背景技术当前广泛使用的开关器件主要是硅基底的MOSFET和IGBT。硅基底MOSFET开关损耗低，但要做到1700V及以上耐压则导通损耗很高，IGBT导通损耗低，但由于尾流则开关损耗很高，一般不能用于很高的开关频率，如10kHz以上。而使用碳化硅基底的MOSFET开关器件，相对 ...

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碳化硅均流装置

碳化硅均流装置 2022-03-31T09:03:49+00:00 碳化硅均流装置, 本发明涉及晶体生长领域，具体涉及一种碳化硅外延生长的喷淋装置及碳化硅生长工艺方法。 背景技术碳化硅(SiC)是第三代宽禁带半导体材料，具有宽禁带、高击穿电 燃烧器碳化硅均流装置苏州上 ...

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碳化硅MOSFET并联主动均流的研究 - 百度学术

碳化硅MOSFET并联主动均流的研究. 全球工业化水平逐步提高,传统电力电子器件受限于材料的自身因素,难以满足日益提升的要求.而以碳化硅为代表的宽禁带材料和碳化硅 (SiC)MOSFET为代表的宽禁带半导体器件受到了科研人员的关注.在SiC MOSFET生产和使用过程中,由于 ...

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中国车用碳化硅功率模块的成长之路 - 知乎

2023年8月8日  加之碳化硅器件的高功率密度、高结温特性、高频特性要求，也对现有封装技术提出更高的要求，目前中国的功率模块封装创新主要朝着如下几个方向在走：. 更先进的连接材料以及连接工艺，以承受更高的温度变化. 功率模块中主要使用3种陶瓷覆铜板：AI2O3-DBC ...

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技术｜并联SiC功率器件的新型磁集成并联均流控制方法 ...

2024年4月3日  前言：‍‍‍‍‍‍本文提出了一种用于并联碳化硅（SiC）功率器件的新型磁集成并联均流控制方法。. 分析了并联SiC功率器件的应用问题。. 采用耦合电感法来解决该问题。. 基于有源反馈变换器，建立了耦合电感的理论模型，并阐明了其工作机理。. 根据工作 ...

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一种碳化硅水平外延炉用的气流转换装置_复旦大学 ...

2023年2月1日  一种碳化硅水平外延炉用的气流转换装置,复旦大学,202310049219.X,发明公布,本发明公开一种碳化硅水平外延炉用的气流转换装置，包括进气机构、初分散机构、孔板组件；所述进气机构的出气端开设有第一通气孔；所述初分散机构固定安装在所述进气机构的出气端；所述初分散机构内开设有若干与所述 ...

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仿真看世界之SiC MOSFET单管的并联均流特性 - 知乎

2022年12月28日  图6.加源极抑制电感和电阻之前(虚线)和加之后(实线)的均流特性变化 图7.不同源极抑制电感和电阻(1Ω虚线)和(3Ω实线)的均流特性变化 4、总结 基于以上TO247-4pin的SiC MOSFET两并联的仿真条件与结

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喷嘴体组件-碳化硅浓缩器/耐磨板/管件/齿环/挡块/三通-苏州上 ...

2024年3月20日  铸钢件高温情况下易变形，耐磨性下降，易磨损，易腐蚀，使用寿命短。. 燃烧器碳化硅喷嘴使用温度最高1500℃，不变形，热震性好。. 铸钢件长期高温环境下，喷嘴易腐蚀变形，降低燃烧效率。. 一体浇注成型，热震性好，在高温加热到1100℃浸入20℃水中

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灰斗气化板_QHB300×150气化板气化槽_料仓气化装置-郑州 ...

2022年11月25日  郑州冠德生产灰斗用QHB300×150气化板气化槽，材质有碳化硅、不锈钢、透气布等料仓气化装置，提供气化板安装和气化风系统设备选型报价，碳化硅气化板由橡胶密封圈和金属壳体箱槽组成，气化板接通加热气化风使粉状物料流态化，卸料流畅避免搭桥起

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字字干货，SiC MOSFET模块的硬并联 - 知乎

2022年12月28日  我们不仅要对每个模块的左右电流均流度进行确认，还要对不同模块同一侧电流进行比较，这样能保证器件并联后达到最大的输出电流。 图8和图9分别是4个并联模块的开通和关断电流，上升和下降的斜率一致性非常高，而且没有什么振荡。

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碳化硅辐射加热装置-批发价格-优质货源-百度爱采购

2024年4月8日  灰库锥底气化板输灰设备 升华碳化硅均流板 电厂火力送灰装置 升华品牌 巩义市升华机械设备有限公司 3年 00:24 查看详情 ￥ 250.00 /件 河南郑州 流化板和流化槽150*300 灰库碳化硅 ...

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【成果快讯】原载于《科技日报》 国产碳化硅灭磁电阻完成 ...

2024年3月29日  同时，配套研制的国产灭磁电阻在线监测装置，能够从电压、电流、能容、温度、均流系数、非线性系数等多维度对灭磁电阻进行监测，有效提高对灭磁电阻的故障预测能力。 国产碳化硅 灭磁电阻研制、测试及真机试验的成功，将改变目前大型 ...

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sic 碳化硅mosfet-英飞凌(infineon)官网 - Infineon Technologies

1 天前  英飞凌的碳化硅CoolSiC™ MOSFET具有高效节能特性和最佳可靠性。. 该系列产品采用分立封装，还提供650 V、1200 V和1700 V电压等级的模块。. CoolSiC™ MOSFET 系列包含碳化硅MOSFET分立器件和MOSFET功率模块。. 其中，SiC MOSFET功率模块拥有三电平、fourpack、半桥、 sixpack和 ...

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SiC MOSFET并联模块均流技术研究 - 百度学术

但是,作为新一代宽禁带半导体器件,碳化硅(SiC)由于其在高压大功率应用领域的优良特性而受到了广泛关注。 在充电桩逆变器等电力设备中使用SiC MOSFET能够显著提高功率密度和设备的效率,本文主要针对SiC MOSFET的并联均流电路进行了研究。

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中国车用碳化硅功率模块的成长之路 - 腾讯网

2023年8月8日  碳化硅的禁带宽度约为硅基材料的3倍，临界击穿场强约为硅基材料的10倍，热导率约是硅基材料的3倍，电子饱和漂移速率约是硅基材料的2倍。碳化硅材料的耐高压、耐高温、高频特性相较于硅基器件能应用于更严苛的工况，可显著提高效率和功率密度，降低应用端的成本、体积和重量。

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