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碳化硅样品
碳化硅外延层厚度及其均匀性的无损检测——红外显微系统 ...
2024年2月23日 碳化硅外延厚度测定原理. 在硅同质/异质外延生产中，红外傅立叶变换光谱技术（FTIR）是测试硅外延层厚度一种非常成熟的方法，具有准确、快速、无损等优
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碳化硅光学材料亚表面缺陷的光热辐射检测研究
2022年11月11日 碳化硅以优异的物理性能和良好的工艺性能,逐渐成为大型空间成像光学系统主镜的首选轻量化光学材料。碳化硅镜坯制备及加工过程中引入的亚表面缺陷会严重影
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中电科55所碳化硅芯片样品流片 第三代半导体百亿市场空间可期
2023年4月20日 近日，中国电科55所与一汽联合推动碳化硅功率器件及模组科技创新，研发的首款750V碳化硅功率芯片完成样品流片，首款全国产1200V塑封2in1碳化硅功率模块完
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碳化硅材料的合成与表征 - 百度学术
热重分析 (TGA)显示立方碳化硅多面体样品在1100℃以下具有极好的热稳定性,即使在1200℃也只有很微量增重,这表明该样品有很强的抗氧化性;室温光致发光测试 (PL)显
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技术干货 激光在碳化硅半导体晶圆制程中的应用
3 天之前 碳化硅是一种性能优异的第三代半导体材料，具有光学性能良好、化学惰性大、物理特性优良的特点，包括带隙宽、击穿电压高、热导率高和耐高温性能强等优点，常作为
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技术干货 激光在碳化硅半导体晶圆制程中的应用
3 天之前 碳化硅晶圆纳秒紫外激光打标效果，字高1.62mm，字宽0.81mm，深度50μm，周围突起高度5μm。图1 碳化硅样品激光标记 02 激光背金去除加工工艺 在整片碳化硅晶圆片上完成若干数量的芯片制作后需要对其进行切割、分片，进而得到一颗颗独立的芯片进入后
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国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线
2022年4月24日 常压烧结（Pressureless Sintering，PS）碳化硅在不施加外部压力的情况下，即通常在 1. 01 × 10 5 Pa 压力和惰性气氛条件下，通过添加合适的烧结助剂，在 2 000 ～ 2 150 ℃ 间，可对不同形状和尺寸的样品进行致密化烧结。碳化硅的常压烧结可分固相烧
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国家标准委发布《耐火材料用碳化硅标准样品》页PPT文档
《耐火材料 用碳化硅标准样品》等48项国家标准样品由质检总局与 国家标准 化管理委员会联合发布，具体名录见附件。 附件：48项国家标准样品 序号 国家标准样品编号 国家标准样品名称 有效期 1 GSB 15-1160-2019 测定聚乙烯树脂熔体流动速率用标准样品
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碳化硅-碳化硅成分分析国家标准样品-济南众标科技有限公司
2023年4月26日 国家编号：GSB08-3221-2014-2 样品编号：ZBN431 样品名称：碳化硅 SiC 90.86 Fe 2 O 3 1.12 CF 3.48 SiF 0.24 SiO 2 2 Al 2 O 3 0.77 CaO 0.47 MgO 0.039
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凝胶注模成型反应烧结碳化硅制备工艺研究 - 百度学术
通过对凝胶注模成型反应烧结碳化硅坯体及烧结试样的性能研究表明:固相含量和单体含量是影响坯体和烧结样品性能的主要因素。 在一定范围内,随着单体含量的增加,坯体的弯曲强度也随之增大。
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碳化硅检测项目及相关标准和方法磨料金属氧化镁二氧化硅 ...
2024年3月20日 样品：样品应具备代表性和一致性，能够反映出整批碳化硅的平均成分和性能，并在干燥、清洁、无尘的条件下保存和处理，避免样品污染和变质。 方法：方法应选择合适的检测项目和方法，根据实际情况调整检测条件，并严格按照标准或规范执行，并做好记录和标记，避免方法误差和混乱。
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碳化硅“风起”：海外巨头忙扩产能、国内产业链急追 - 腾讯网
2023年6月28日 第一财经记者从第三代半导体前沿趋势研讨会上获悉，国内已有约10家企业在8英寸碳化硅衬底领域取得突破性进展，有4-5家制出样品、小规模出货，如天科合达等。与此同时，8英寸碳化硅的上游原材料和生产设备等环节，也在逐步推进国产化。
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碳化硅_百度百科
2023年5月4日 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。自1893年以来已经被大规模生产为粉末和晶体，用作磨料等。在C、N、B等非氧化物 ...
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碳化硅MOSFET-三安集成
2022年10月13日 碳化硅MOSFET 是下一代能量转换系统的核心部件，实现了关键的系统优势，例如小型化、更轻的重量和更高的集成度 ... 咨询或申请样品 ？ 联系我们 寻找离你更近的 办公室 正在发生 2022-10-13 湖南三安获取IATF 16949证书 为新能源汽车市场注入信“芯 ...
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碳化硅材料的合成与表征 - 百度学术
值得一提的是,所得的碳化硅纳米线中有约三分之一为弯曲纳米线。根据实验结果分析并结合相关的文献报道,该实验中SiC纳米线可能的形成机制为气-液-固(VLS)生长机理。XRD衍射花样证实多面体样品也是面心立方相的碳化硅(3C-SiC)。
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碳化硅陶瓷，SSiC\SiSiC\RBSiC\RSiC...你分得清吗？
2022年1月7日 然而，由于碳化硅 为强共价键化合物 切换模式 写文章 登录/注册 碳化硅陶瓷，SSiC\SiSiC\RBSiC\RSiC...你分得清吗 ... 快速升温并对坯体施压和直流脉冲电流，在短时间内就可以完成烧结（当电流很大
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进击8英寸碳化硅，国产替代空间几何？ - 知乎
2023年7月7日 其中Wolfspeed是全球最大的SiC衬底生产商。该公司于2015年展示了8英寸碳化硅衬底，并于2019年制备出了首批8英寸碳化硅衬底样品。2022年4月，Wolfspeed启用了莫霍克谷晶圆厂，这是全球第一个也是最大的、唯一的8英寸（200毫米）碳化硅晶圆厂。
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河北同光8英寸导电型碳化硅晶体样品已出炉，预计年底小批量 ...
2023年4月7日 河北同光半导体股份有限公司传来一则好消息：历经2年多的研发，8英寸导电型碳化硅晶体样品 已经出炉，工作人员正在攻关加工成碳化硅单晶衬底。预计这款新产品年底可实现小批量生产，将被客户制为功率芯片。 去年10月，河北广播电视台 ...
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碳化硅光学材料亚表面缺陷的光热辐射检测研究
2022年11月11日 在光热辐射技术中，碳化硅样品 吸收照射在其表面的连续调制激光，材料内 部产生周期性变化的温度分布。样品无缺陷区域可看成是均匀的，采用单层模型 描述。当样品尺寸远大于照射激光光斑半径时，如图1(a)所示，产生的温度场符 ...
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一种碳化硅晶片腐蚀的方法和装置[发明专利]_百度文库
2014年3月26日 一种碳化硅晶片腐蚀的方法和装置[发明专利]-(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(21)申请号 201410116764.7 ... [0004] 湿法腐蚀是研究碳化硅晶体缺陷的主要方法，由于其成本低、实验步骤简单和对 样品形状无要求而得到了广泛地应用。
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氮化镓(gan)和碳化硅(sic)芯片的生产工艺流程_概述说明 ...
将块状样品放入高温炉中，在惰性气氛下进行热处理。在高温下，碳化硅样品 会发生烧结反应，使得颗粒之间结合更紧密。 c) 切割：经过烧结处理后，得到整块的碳化硅样品，需要将其进行切割成合适大小的芯片。常用的切割技术包括钻孔、研磨和激光 ...
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SNT 0256-1993出口碳化硅分析方法 碳化硅含量的测定 - 副本.pdf
2017年6月4日 4碳化硅含里的测定 41 燃烧一重量法(方法一) 4.1.1 方法提要 试祥置于高温炉内在一定温度下灼烧，除去游离碳后，称取灼烧后残遣，加助熔剂在氧气流中高温 加热，分解使碳化硅中的碳完全媲烧生成二氧化碳，二氧化碳用装有碱石棉及高氯酸镁的吸收瓶
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GSB08-3221-2014-2（ZBN431）碳化硅标准样品50g碳化硅 ...
阿里巴巴GSB08-3221-2014-2（ZBN431）碳化硅标准样品50g碳化硅标准物质，其他化学试剂，这里云集了众多的供应商，采购商，制造商。这是GSB08-3221-2014-2（ZBN431）碳化硅标准样品50g碳化硅标准物质的详细页面。产地:中国，型号:GSB08-3221-2014-2（ZBN431），是否进口:否，级别:标准样品，货号:GSB08-3221-2014-2 ...
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